где я: главная >>> новости >>> Toshiba начинает производство флэш-памяти SLC NAND по 43нм технологическому процессу
Toshiba начинает производство флэш-памяти SLC NAND по 43нм технологическому процессу
Киев, 29.10.2008 – Корпорация Toshiba объявила о выпуске новой серии флэш-памяти SLC (Single-Level Cell) NAND с плотностью от 512 Мбит до 64 Гбит. Новинки плотностью 16, 32 и 64 Гбит состоят из монолитных 16 Гбит чипов, изготовленных по 43нм техпроцессу. Разработчикам Toshiba удалось удвоить плотность записи по сравнению с чипами, производимыми по 56нм нормам. Это максимально возможная на сегодняшний день плотность. Новые устройства будут доступны на рынке в первом квартале 2009 года.
Чипы SLC способны быстро обрабатывать большие объемы данных и были разработаны для применения в устройствах, требующих высокой скорости чтения и записи – мобильных телефонах, LCD панелях, серверах. Скорость записи у чипов SLC в 2.5 раза выше, чем у чипов MLC (Multi-Level Cell).
В последние годы корпорация Toshiba занималась активным продвижением на рынок модулей флэш-памяти высокой емкости типа MLC NAND, которые использовались для карт памяти и mp3-плееров. Производство флэш-памяти типа SLC было ограничено, для него использовались технологические нормы 56нм и 70нм. Расширяя производство SLC памяти высокой плотности, Toshiba рассчитывает укрепить свои позиции в сегменте компонентов, предназначенных для высокопроизводительных приложений.
Характеристики новых продуктов
Серийный номер Плотность Корпус Page Size Начало поставок
TH58NVG6S2EBA20 64Gb BGA
Large
Block 2009, 1Q
TH58NVG5S2EBA20 32Gb BGA 2009, 1Q
TC58NVG4S2EBA00 16Gb BGA 2009, 1Q
TC58NVG3S2ETA00 8Gb TSOP I 2009, 2Q
TC58NVG2S3ETA00 4Gb TSOP I 2009, 2Q
TC58NVG2S3EBAJX BGA 2009, 2Q
TC58NVG1S3ETA00 2Gb TSOP I 2009, 1Q
TC58NVG1S3EBAJX BGA 2009, 2Q
TC58NVG0S3ETA00 1Gb TSOP I Large
Block 2009, 2Q
TC58NVG0S3EBAJ5 BGA
TC58DVG02A5TA00 TSOP I Small
Block 2009, 3Q
TC58DVG02A5BAJ5 BGA
TC58NVM9S3ETA00 512Mb TSOP I Large
Block 2009, 2Q
TC58NVM9S3EBAJW BGA
TC58DVM92A5TA00 TSOP I Small
Block 2009, 3Q
TC58DVM92A5BAJW BGA
Характеристики чипа 16Гбит
Серийный номер TC58NVG4S2EBA00
Плотность 16Gb
Напряжение 3.3В
Скорость программирования (типовая) 400 мкС / страница
Скорость стирания (типовая) 4 мС/ блок
Скорость доступа 40 мкС (случайный)
25 нС (последовательный)
Размер 14мм x 18мм
Советы по распределению сетевых адресов Если в вашей сети не больше 60 компьютеров, то она может работать с одним сервером и иметь один номер. При переходе от одноранговой сети на сеть с выделенным сервером этот номер должен отличаться от применявшегося ранее, что позволит делать переход менее болезненым и постепенным. Например, в старом варианте…далее >>>
Эталонная семиуровневая модель OSI (Open System Interconnect) В начале 80-х годов ISO признала необходимость создания модели сети, на основе которой поставщики оборудования телекоммуникаций могли создавать взаимодействующие друг с другом сети. В 1984 году такой стандарт был выпущен под названием "Эталонная модель взаимодействия открытых систем" (Open…далее >>>
Простые маршрутизаторы. Обзор. Простые маршрутизаторы (Обзор)В этой статье мы рассмотрим недорогие маршрутизаторы для доступа в Интернет, с успехом работающие с модемами для выделенных линий. В настоящий момент на рынке Украины предлагается довольно широкий спектр маршрутизаторов, способных работать совместно с модемами для выделенных…далее >>>
Структура систем передачи канала Е1 Канал Е1Канал Е1 - первичный канал иерархии PDH - является основным каналом, используемым во вторичных сетях телефонии, передачи данных и ISDN (PRI). По сравнению с остальными каналами иерархии PDH этот канал имеет несколько особенностей, связанных с его использованием, а именно сверхцикловую структуру…далее >>>
Типы интерфейсов передачи данных Рекомендации, принятые Международным консультативным комитетом по телефонии и телеграфии (CCITT, ныне ITU-T), обозначаются комбинацией из заглавной латинской буквы и точки. Фактически эти рекомендации являются стандартами, которые соблюдаются пропорционально степени их распространения (V.24 — всегда,…далее >>>
Киев, 29.10.2008 – Корпорация Toshiba объявила о выпуске новой серии флэш-памяти SLC (Single-Level Cell) NAND с плотностью от 512 Мбит до 64 Гбит. Новинки плотностью 16, 32 и 64 Гбит состоят из монолитных 16 Гбит чипов, изготовленных по 43нм техпроцессу. Разработчикам Toshiba удалось удвоить плотность записи по сравнению с чипами, производимыми по 56нм нормам. Это максимально возможная на сегодняшний день плотность. Новые устройства будут доступны на рынке в первом квартале 2009 года.
